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<p>Se busca Lic. en Física o Ingeniero electrónico para presentarse al llamado de becas internas CONICET.<br></p>
<p align="justify" style="margin-bottom: 0in; line-height: 100%">Tema: “Transporte electrónico en micro y nano dispositivos MOS”.</p>
<div>Director: Dr. Félix Palumbo (CNEA).</div>
<div>Codirector: Dr. Jerónimo Peralta Ramos (DF-FCEN-UBA).</div>
<div>Lugar de trabajo: Lab. Tandar, CAC-CNEA.<br>
Fecha de inicio: abril de 2015.<br>
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<div>Los sistemas metal-óxido-semiconductor (MOS) que conforman los chips actuales están llegando al límite<br>
físico alcanzable en dispositivos basados exclusivamente en el silicio, por lo que existe un enorme interés<br>
en el estudio de nuevos materiales, como por ejemplo el HfO2 y el InGaAs, para usar en MOS más eficientes.<br>
</div>
<div>El objetivo de este proyecto es entender y cuantificar los factores que determinan las curvas I-V de sistemas MOS, con miras a brindar información útil para mejorar el diseño de la nueva generación de dispositivos<br>
utilizados en tecnologías de procesamiento y almacenamiento. </div>
<div><br>
El trabajo de investigación combinará la caracterización y medición de propiedades electrónicas de los<br>
dispositivos (incluyendo dispositivos irradiados) con la implementación numérica de modelos físicos<br>
para simularlos en forma realista.<br>
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En este contexto, resulta de especial interés entender cómo la presencia de vacancias de oxígeno,<br>
que son producidas por irradiación durante la fabricación de los dispositivos, impacta sobre sus propiedades<br>
de transporte.<br>
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Contacto:<br>
<div>Dr. Félix Palumbo: felixpalumbo@gmail.com</div>
<div>Dr. Jerónimo Peralta Ramos: jperalta@df.uba.ar</div>
<br>
<br>
<pre>
Muchas gracias.
Saludos,
Jeronimo.
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</div>
<div> </div>
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