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<p>Recordamos el coloquio de hoy,<br>
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COLOQUIOS DEL DEPARTAMENTO DE FÍSICA FCEYN - UBA<br>
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<a href="http://www.df.uba.ar/index.php?option=com_content&view=article&id=6623&Itemid=192" target="_blank">http://www.df.uba.ar/index.php?option=com_content&view=article&id=6623&Itemid=192</a><br>
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Charlas, café y masitas<br>
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En el Aula Federman, 1er piso, Pabellón I, Ciudad Universitaria<br>
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Jueves 30/8, 14hs:<br>
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CONMUTACION RESISTIVA<br>
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MARCELO ROZENBERG<br>
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DF-FCEN-UBA<br>
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Las memoria resistivas de acceso aleatorio (RRAM) consisten en<br>
estructuras tipo condensador, donde el dieléctrico es un óxido de metal<br>
transtition. Estos sistemas están emergiendo como fuertes candidatos para<br>
la próxima generación de dispositivos de memoria electrónica no-volátil.<br>
En esta charla describiré la fenomenologia física básica de<br>
la conmutación resistiva (resistive switching), y presentaré un modelo que<br>
describe el fenómeno observado en muchos óxidos de metales de transición<br>
de tipo perovskita. El estudio numérico del modelo predice que el efecto se<br>
debe a la distribución espacialmente heterogénea de vacantes de oxígeno<br>
debidas a los fuertes campos eléctricos que se desarrollan en la proximidad<br>
de los electrodos. Los resultados teóricos del modelo son validados a<br>
través de la comparación con experimentos no-triviales de<br>
fenomenos de histéresis en la resistencia, observados en cupratos<br>
(YBCO) y en muestras de manganitas (PCLMO). Los resultados de las<br>
simulaciones del modelo nos permitieron proponer un nuevo tipo de celda de<br>
memoria multi-nivel no-volátil. Presentaremos los resultados recientes de<br>
una implementación de un dispositivo de memoria de 6-bits.<br>
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