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<p>COLOQUIOS DEL DEPARTAMENTO DE FÍSICA FCEYN - UBA<br>
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<a href="http://www.df.uba.ar/index.php?option=com_content&view=article&id=6623&Itemid=192">http://www.df.uba.ar/index.php?option=com_content&view=article&id=6623&Itemid=192</a><br>
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Charlas, café y masitas<br>
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En el Aula Federman, 1er piso, Pabellón I, Ciudad Universitaria<br>
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Jueves 30/8, 14hs:<br>
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CONMUTACION RESISTIVA<br>
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MARCELO ROZENBERG<br>
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DF-FCEN-UBA<br>
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Las memoria resistivas de acceso aleatorio (RRAM) consisten en<br style="padding-top: 0px; padding-right: 0px; padding-bottom: 0px; padding-left: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-bottom: 0px; margin-left: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: Menlo, Consolas, 'Lucida Console', 'DejaVu Sans Mono', monospace; font-size: 12px; text-align: left; background-color: rgb(255, 255, 255);">
estructuras tipo condensador, donde el dieléctrico es un óxido de metal transtition. Estos sistemas están emergiendo como fuertes candidatos para la próxima generación de dispositivos de memoria electrónica no-volátil.<br style="padding-top: 0px; padding-right: 0px; padding-bottom: 0px; padding-left: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-bottom: 0px; margin-left: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: Menlo, Consolas, 'Lucida Console', 'DejaVu Sans Mono', monospace; font-size: 12px; text-align: left; background-color: rgb(255, 255, 255);">
En esta charla describiré la fenomenologia física básica de la conmutación resistiva (resistive switching), y presentaré un modelo que describe el fenómeno observado en muchos óxidos de metales de transición de tipo perovskita. El estudio numérico del modelo predice que el efecto se debe a la distribución espacialmente heterogénea de vacantes de oxígeno debidas a los fuertes campos eléctricos que se desarrollan en la proximidad<br style="padding-top: 0px; padding-right: 0px; padding-bottom: 0px; padding-left: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-bottom: 0px; margin-left: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: Menlo, Consolas, 'Lucida Console', 'DejaVu Sans Mono', monospace; font-size: 12px; text-align: left; background-color: rgb(255, 255, 255);">
de los electrodos. Los resultados teóricos del modelo son validados a través de la comparación con experimentos no-triviales de<br style="padding-top: 0px; padding-right: 0px; padding-bottom: 0px; padding-left: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-bottom: 0px; margin-left: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: Menlo, Consolas, 'Lucida Console', 'DejaVu Sans Mono', monospace; font-size: 12px; text-align: left; background-color: rgb(255, 255, 255);">
fenomenos de histéresis en la resistencia, observados en cupratos<br style="padding-top: 0px; padding-right: 0px; padding-bottom: 0px; padding-left: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-bottom: 0px; margin-left: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: Menlo, Consolas, 'Lucida Console', 'DejaVu Sans Mono', monospace; font-size: 12px; text-align: left; background-color: rgb(255, 255, 255);">
(YBCO) y en muestras de manganitas (PCLMO). Los resultados de las simulaciones del modelo nos permitieron proponer un nuevo tipo de celda de memoria multi-nivel no-volátil. Presentaremos los resultados recientes de una implementación de un dispositivo de memoria de 6-bits.<br>
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