[Todos] Seminarios DQIAQF - INQUIMAE, lunes 19 de diciembre - 13 hs.
andrea en qi.fcen.uba.ar
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Vie Dic 16 14:44:37 ART 2011
Seminarios DQIAQF - INQUIMAE, lunes 19 de diciembre - 13 hs.
Aula de Seminarios INQUIMAE - DQIAQF
Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
Ciudad Universitaria - Pab. 2 - Piso 3
Materiales para la fabricacion de circuitos integrados de
futura generacion
Dr. Dario L. Goldfarb
IBM T.J. Watson Research Center, USA
Resumen
La
evolución tecnológica de los circuitos integrados durante
las cuatro décadas pasadas ha sido largamente facilitada por el
incremento en la resolución espacial de los polímeros fotosensibles
utilizados para
definir definir nanoestructuras funcionales para cada nivel dentro de cada
"chip". Al mismo tiempo, la
resolución de los instrumentos ópticos empleados para irradiar dichos
fotopolímeros ha acompañado dicha evolución,
utilizando radiación ultravioleta de longitud de onda cada vez más pequeña
(365nm, 248nm, 193nm) y componentes ópticos cada vez más
complejos al punto de transformarse en maravillas de precisión, rapidez y
sofisticación. Aun asi, la fuerza impulsora ($) que lleva a reducir el
tamano
delos elementos
(semi)conductores y aislantes ha empujado dicha técnica, conocida como
litografía óptica, hasta su límite de
aplicabilidad práctica. Es asíque la continuidad en el avance de la
tecnología de semiconductores depende en gran medida de la
introducción de nuevos instrumentos y materiales fotosensibles
diseñados para operar
con longitudes de onda cercanas a los rayos-X.
En
esta charla se presentarán los lineamientos generales de la
fabricación de circuitos
semiconductores desde un punto de vista litográfico, su evolución
histórica y las
limitaciones actuales en relación a los materiales utilizados para dicho
fin. En particular, se describirán las propiedades de transporte
(difusión) de fotocatalizadores
y su efecto en la resolución espacial de nanoestructuras, la
interacción de estas especies con radiación ionizante (fotones,
electrones) y el diseño práctico de nuevos
materiales fotosensibles utilizando técnicas electroquímicas y de
simulación computacional.
Finalmente, para el caso de nanoestructuras poliméricas
tridimensionales de alta densidad
espacial fabricadas con dichos lineamientos es necesario considerar la
inestabilidad mecánica impartida por el efecto capilar presente durante el
proceso de revelado. La descripción cuantitativa de dicho efecto permite
implementar distintas técnicas de secado (surfactantes, fluidos
supercríticos) que eliminan
la deformación de las nanoestructuras asífabricadas.
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