[Todos] HOY CUANTRONICA

[liliana arrachea]

                 HOY  Lunes 28 de Septiembre, 15:00 hs

                 Encuentro de Cuantronica

                 Aula Seminario Departamento de Fisica


Están todos cordialmente invitados.

                        Programa

1. Carlos Acha: ``Conmutación Resistiva en óxidos''

2. Federico Foieri: ``Resistencia a 4 terminales de un bombeador cuántico''

                        Resúmenes

Conmutación Resistiva en óxidos, por Carlos Acha

Son varios los estudios que indican que las memorias convencionales
basadas en la tecnología del Si van a alcanzar en los próximos años un
límite en cuanto al incremento de su capacidad de almacenamiento.  Esto
impulsó en los últimos años el estudio de nuevos tipos de memorias
no-volátiles. Entre ellas, una memoria alternativa, con buenos pronósticos
en cuanto a su mejora de las prestaciones de las memorias convencionales,
es la basada en el mecanismo de conmutación resistiva que se produce en la
interfaz metal-aislante al aplicar campo eléctrico. Estas memorias,
llamadas RRAM, suelen presentar una estructura de condensador compuesto
por electrodos metálicos y óxidos binarios o de metales de transición como
dieléctrico. Entender el mecanismo subyacente es una tarea hoy en día
pendiente que requiere una buena correlación entre experimentos y modelos
teóricos.

En esta charla les contaré sobre el trabajo experimental que hemos
realizado recientemente, estudiando las propiedades eléctricas de
diferentes interfases metal / YBa2Cu3O7−d (YBCO), empleando metales
con diferente energía de oxidación y función trabajo, depositados sobre
muestras cerámicas de YBCO mediante la técnica de sputtering.

Se caracterizaron diferentes aspectos de la interfase como la dependencia
de la resistencia eléctrica con la temperatura, las características
Corriente / Voltaje, los cambios de
resistencia tanto de los contactos como la propia del cerámico inducidos
por pulsos eléctricos así como la transición superconductora de la
muestra, con el objetivo de determinar los parámetros clave que controlan
el mecanismo de la conmutación resistiva en estos materiales. Nuestros
resultados son consistentes con un mecanismo basado en la migración de
iones, principalmente de vacancias de oxígeno, donde el electrodo juega en
ciertos casos un rol activo, favoreciendo o no la creación de una
interfase aislante.

Considerando este posible mecanismo y dado que la movilidad de las
vacancias de oxígeno es mayor en bordes de grano, es de esperar que
materiales cerámicos con granos de tamaño típico en la escala nanométrica
presenten fuertes modificaciones en su conmutación resistiva en
comparación con dispositivos conformados mediante óxidos de tamaño de
grano estándar (micrómetros).

Partiendo de esta suposición, también les contaré resultados preliminares
de estudios de transporte realizados en interfases
Pt–La(5/8-x)PrxCa3/8MnO3 (x=0.3) donde el óxido está como cerámico
no-sinterizado bajo presión (polvo). Se observaron efectos de memoria
no-volátil y de carácter unipolar, probablemente basados en otro mecanismo
que discutiré.
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Resistencia a 4 terminales de un bombeador cuántico, por Federico Foieri

En este trabajo se estudia el perfil de voltaje de una estructura de
doble barrera (EDB)  cuando se aplican sobre ésta potenciales
eléctricos dependientes del tiempo (periódicos). Esta estructura a su
vez está conectada en sus extremos a reservorios de electrones. Esta
configuración del sistema consitituye lo que se denomina un bombeador
cuántico abierto, ya que en respuesta a las excitaciones eléctricas
(AC) en el mismo, se induce una corriente continua (DC) que permite
estudiar algunas propiedades de transporte como por ejemplo la
resistencia a cuatro terminales (R4t).
En esta charla mostraré resultados analíticos y numéricos obtenidos en
la determinación del perfil de voltaje y la R4t en la EDB; y cómo
estos resultados se relacionan con los obtenidos en una configuración
en la que el transporte se induce sometiendo a la EDB a una diferencia
de potencial estacionaria (configuración de Landauer).
Esta comparación podría ser una muestra del carácter universal de la
R4t como medida de la resistividad de dicha estructura.

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